所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 4ISOTOP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 最大连续漏极电流 | 70 A |
| RDS -于 | 55@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 55 ns |
| 典型上升时间 | 95 ns |
| 典型下降时间 | 76 ns |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 安装 | Screw |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | ISOTOP |
| 最低工作温度 | -65 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tube |
| Maximum Drain Source Resistance | 55@10V |
| 最大漏源电压 | 600 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | ISOTOP |
| 最大功率耗散 | 600000 |
| 最大连续漏极电流 | 70 |
| 引脚数 | 4 |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 70A |
| 的Vgs(th ) (最大)@ Id | 5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
| 供应商设备封装 | ISOTOP® |
| 开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 55 mOhm @ 30A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 600W |
| 输入电容(Ciss ) @ VDS | 7300pF @ 25V |
| 其他名称 | 497-3173-5 |
| 闸电荷(Qg ) @ VGS | 266nC @ 10V |
| 封装/外壳 | ISOTOP |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 配置 | Single Dual Source |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 连续漏极电流 | 70 A |
| 正向跨导 - 闵 | 35 S |
| 单位重量 | 1 oz |
| RDS(ON) | 55 mOhms |
| 功率耗散 | 600 W |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | ISOTOP |
| 上升时间 | 95 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 76 ns |
| Continuous Drain Current Id | :30A |
| Drain Source Voltage Vds | :600V |
| On Resistance Rds(on) | :50mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :4V |
| 功耗 | :600W |
| Operating Temperature Min | :-65°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :ISOTOP |
| No. of Pins | :4 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Current Id Max | :70A |
| 工作温度范围 | :-65°C to +150°C |
| 端接类型 | :Screw |
| 晶体管类型 | :Power MOSFET |
| Voltage Vds Typ | :600V |
| Voltage Vgs Max | :30V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Weight (kg) | 0.0002 |
| Tariff No. | 85423300 |
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