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厂商型号:

STE70NM60

芯天下内部编号:
390-STE70NM60
生产厂商:

stmicroelectronics

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 4ISOTOP
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 600 V
最大连续漏极电流 70 A
RDS -于 55@10V mOhm
最大门源电压 ±30 V
典型导通延迟时间 55 ns
典型上升时间 95 ns
典型下降时间 76 ns
工作温度 -65 to 150 °C
安装 Screw
标准包装 Rail / Tube
最大门源电压 ±30
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 ISOTOP
最低工作温度 -65
渠道类型 N
封装 Tube
Maximum Drain Source Resistance 55@10V
最大漏源电压 600
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 ISOTOP
最大功率耗散 600000
最大连续漏极电流 70
引脚数 4
FET特点 Standard
安装类型 Chassis Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 70A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 600V
供应商设备封装 ISOTOP®
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 55 mOhm @ 30A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 600W
输入电容(Ciss ) @ VDS 7300pF @ 25V
其他名称 497-3173-5
闸电荷(Qg ) @ VGS 266nC @ 10V
封装/外壳 ISOTOP
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 10
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
最低工作温度 - 65 C
配置 Single Dual Source
源极击穿电压 +/- 30 V
连续漏极电流 70 A
正向跨导 - 闵 35 S
单位重量 1 oz
RDS(ON) 55 mOhms
功率耗散 600 W
安装风格 Through Hole
封装/外壳 ISOTOP
上升时间 95 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 600 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 76 ns
Continuous Drain Current Id :30A
Drain Source Voltage Vds :600V
On Resistance Rds(on) :50mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :4V
功耗 :600W
Operating Temperature Min :-65°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :ISOTOP
No. of Pins :4
MSL :-
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Current Id Max :70A
工作温度范围 :-65°C to +150°C
端接类型 :Screw
晶体管类型 :Power MOSFET
Voltage Vds Typ :600V
Voltage Vgs Max :30V
Voltage Vgs Rds on Measurement :10V
Weight (kg) 0.0002
Tariff No. 85423300

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