stmicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 4ISOTOP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 最大连续漏极电流 | 40 A |
| RDS -于 | 130@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 49 ns |
| 典型上升时间 | 42 ns |
| 典型下降时间 | 26 ns |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 安装 | Screw |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | ISOTOP |
| 最低工作温度 | -65 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tube |
| Maximum Drain Source Resistance | 130@10V |
| 最大漏源电压 | 600 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | ISOTOP |
| 最大功率耗散 | 460000 |
| 最大连续漏极电流 | 40 |
| 引脚数 | 4 |
| P（ TOT ） | 460W |
| 匹配代码 | STE40NC60 |
| R（ THJC ） | 0.272K/W |
| LogicLevel | NO |
| 单位包 | 10 |
| 标准的提前期 | 14 weeks |
| 最小起订量 | 100 |
| Q（克） | 430nC |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 汽车 | NO |
| 我（D ） | 40A |
| V（ DS ） | 600V |
| 技术 | PowerMESH |
| 的RDS（on ） at10V | 0.13Ohm |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 40A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 供应商设备封装 | ISOTOP® |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 130 mOhm @ 20A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 460W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 11100pF @ 25V |
| 其他名称 | 497-3169-5 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 430nC @ 10V |
| 封装/外壳 | ISOTOP |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Dual Source, Single |
| 外形尺寸 | 38.2 x 25.5 x 9.1mm |
| 身高 | 9.1mm |
| 长度 | 38.2mm |
| 最大漏源电阻 | 0.13 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 460 W |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 包装类型 | ISOTOP |
| 典型栅极电荷@ VGS | 307.5 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 11.1 pF V @ 25 |
| 宽度 | 25.5mm |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 连续漏极电流 | 40 A |
| 正向跨导 - 闵 | 42 S |
| 单位重量 | 1 oz |
| RDS（ON） | 130 mOhms |
| 功率耗散 | 460 W |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | ISOTOP |
| 上升时间 | 42 ns |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 26 ns |
| 漏极电流（最大值） | 40 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �30 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.13 ohm |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 600 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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