STMicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 3A |
| 晶体管类型 | NPN, PNP |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 500mV @ 200mA, 1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100µA |
| 标准包装 | 50 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 400V |
| 供应商设备封装 | 8-DIP |
| 封装 | Tube |
| 功率 - 最大 | 3W |
| 封装/外壳 | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 18 @ 700mA, 5V |
| 其他名称 | 497-12244 |
| 案例 | DIP8 |
| Transistor type | PNP, NPN |
| 功率 | 45W |
| 极化 | bipolar |
| Multiplicity | 1 |
| Collector-emitter voltage | 400V |
| Gross weight | 1.15 g |
| 安装 | THT |
| Collector current | 3A |
| Collective package [pcs] | 1 |
| spg | 1 |
| 供应商器件封装 | 8-DIP |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 500mV @ 200mA, 1A |
| 晶体管类型 | NPN, PNP |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100µA |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 18 @ 700mA, 5V |
| 封装/外壳 | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 功率 - 最大值 | 3W |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 3A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 400V |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 10 V, 18 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 500 mV |
| 晶体管极性 | NPN, PNP |
| 系列 | 500V to 1000V Transistors |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 18 at 700 mA at 5 V |
| 直流电流增益hFE最大值 | 34 at 700 mA at 5 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 400 V |
| Pd - Power Dissipation | 3 W |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 500 V, 700 V |
| 集电极最大直流电流 | 6 A |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 3 A |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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