STMicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| Package Width | 6.2(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 120000 |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 6.5@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | DPAK |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最高工作温度 | 175 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 6.6(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| Package Height | 2.4(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 80 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 80A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 标准包装 | 2,500 |
| 供应商设备封装 | DPAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6.5 mOhm @ 40A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 120W |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 7480pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 122nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | 497-13942-1 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 80 A |
| RDS（ON） | 6.5 mOhms |
| 功率耗散 | 120 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 122 nC |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | DPAK |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 60 V |
| 弧度硬化 | No |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 80A (Tc) |
| 高度 | 4.6mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 10.4mm |
| 典型输入电容值@Vds | 7480 pF @ 25 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 0.0065 Ω |
| 引脚数目 | 3 |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 120 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 9.35mm |
| 尺寸 | 10.4 x 9.35 x 4.6mm |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | DPAK |
| 最大连续漏极电流 | 80 A |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 122 nC @ 10 V |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6.5 mOhms |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 系列 | N-channel STripFET |
| Qg - Gate Charge | 122 nC |
| 技术 | Si |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4.5 V |
| Pd - Power Dissipation | 120 W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| 通道数 | 1 Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 80 A |
| P（ TOT ） | 120 W |
| Logic level | NO |
| V（ DS ） | 60 V |
| 包装 | DPAK |
| 汽车 | AEC-Q(101) |
| R（ THJC ） | 1.25 K/W |
| Q（克） | 147 nC |
| Configuartion | N-CH |
| RDS(on)at 10V | 5 mOhm |
| I(D)at Tc=25°C | 80 A |
| Leadfree Defin | RoHS-conform |
| Fast bodydiode | NO |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
