stmicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3DPAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 最大连续漏极电流 | 5 A |
| RDS -于 | 900@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±25 V |
| 典型导通延迟时间 | 7 ns |
| 典型上升时间 | 10 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 典型下降时间 | 12 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| P（ TOT ） | 45W |
| 匹配代码 | STD7NM60N |
| R（ THJC ） | 2.78K/W |
| LogicLevel | NO |
| 单位包 | 2500 |
| 标准的提前期 | 10 weeks |
| 最小起订量 | 2500 |
| Q（克） | 14nC |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 汽车 | NO |
| 我（D ） | 5A |
| V（ DS ） | 600V |
| 技术 | MDmesh |
| 的RDS（on ） at10V | 0.9Ohm |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 5A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 供应商设备封装 | D-Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 900 mOhm @ 2.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 45W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 363pF @ 50V |
| 其他名称 | 497-11042-2 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 14nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 渠道类型 | N |
| 外形尺寸 | 6.6 x 6.2 x 2.4mm |
| 身高 | 2.4mm |
| 长度 | 6.6mm |
| 最大漏源电阻 | 0.9 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 45 W |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | TO-252 |
| 引脚数 | 3 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 14 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 363 pF V @ 50 |
| 宽度 | 6.2mm |
| 连续漏极电流 | 5 A |
| 栅源电压（最大值） | �25 V |
| 功率耗散 | 45 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 600 V |
| 弧度硬化 | No |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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