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厂商型号:

STD7N52DK3

芯天下内部编号:
390-STD7N52DK3
生产厂商:

stmicroelectronics

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3DPAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 525 V
最大连续漏极电流 6 A
RDS -于 1150@10V mOhm
最大门源电压 ±30 V
典型导通延迟时间 12 ns
典型关闭延迟时间 37 ns
典型下降时间 19 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±30
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 DPAK
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 1150@10V
最大漏源电压 525
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 DPAK
最大功率耗散 90000
最大连续漏极电流 6
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
P( TOT ) 90W
匹配代码 STD7N52DK3
R( THJC ) 1.39K/W
LogicLevel NO
单位包 2500
标准的提前期 10 weeks
最小起订量 2500
Q(克) 34nC
LLRDS (上) n.s.Ohm
汽车 NO
LLRDS (上)在 n.s.V
我(D ) 7A
V( DS ) 620V
技术 SuperMESH
的RDS(on ) at10V 1.15Ohm
无铅Defin RoHS-conform
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 6A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4.5V @ 50µA
漏极至源极电压(Vdss) 525V
供应商设备封装 D-Pak
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 1.15 Ohm @ 3A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 90W
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
输入电容(Ciss ) @ VDS 870pF @ 50V
其他名称 497-10707-2
闸电荷(Qg ) @ VGS 33nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Power MOSFET
外形尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm
身高 2.4mm
长度 6.6mm
最大漏源电阻 1.15 Ω
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 90 W
包装类型 TO-252
典型栅极电荷@ VGS 33 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS 870 pF V @ 50
宽度 6.2mm
安装风格 SMD/SMT
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 30 V
连续漏极电流 6.2 A
正向跨导 - 闵 1.5 V
RDS(ON) 1.15 Ohms
功率耗散 90 W
栅极电荷Qg 34 nC
上升时间 22 ns
漏源击穿电压 620 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 22 ns
Continuous Drain Current Id :6A
Drain Source Voltage Vds :525V
On Resistance Rds(on) :0.95ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :3.75V
功耗 :90W
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TO-252
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Weight (kg) 0.03
Tariff No. 85412900

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