stmicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3DPAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 最大连续漏极电流 | 5 A |
| RDS -于 | 1000@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 14 ns |
| 典型上升时间 | 10 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Cut Tape |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 1000@10V |
| 最大漏源电压 | 600 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | DPAK |
| 最大功率耗散 | 96000 |
| 最大连续漏极电流 | 5 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| P（ TOT ） | 100W |
| 匹配代码 | STD5NM60T4 |
| R（ THJC ） | 1.25K/W |
| LogicLevel | NO |
| 单位包 | 2500 |
| 标准的提前期 | 10 weeks |
| 最小起订量 | 1 |
| Q（克） | 18nC |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 汽车 | NO |
| 我（D ） | 8A |
| V（ DS ） | 650V |
| 技术 | MDmesh |
| 的RDS（on ） at10V | 1Ohm |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 8A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 供应商设备封装 | D-Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1 Ohm @ 2.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 96W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 400pF @ 25V |
| 其他名称 | 497-3163-2 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 18nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 外形尺寸 | 6.6 x 6.2 x 2.4mm |
| 身高 | 2.4mm |
| 长度 | 6.6mm |
| 最大漏源电阻 | 1 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 96 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-252 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 13 nC @ 10 V |
| 典型输入电容@ VDS | 400 pF @ 25 V |
| 宽度 | 6.2mm |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 连续漏极电流 | 5 A |
| 正向跨导 - 闵 | 2.4 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 1 Ohms |
| 功率耗散 | 96 W |
| 封装/外壳 | TO-252 |
| 上升时间 | 10 ns |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 10 ns |
| 漏极电流（最大值） | 5 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �30 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 1 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 600 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| Continuous Drain Current Id | :5A |
| Drain Source Voltage Vds | :650V |
| On Resistance Rds(on) | :1ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :4V |
| 功耗 | :96W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-252 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Alternate Case Style | :D-PAK |
| Current Id Max | :5A |
| 外部深度 | :10.5mm |
| External Length / Height | :2.55mm |
| 外宽 | :6.8mm |
| No. of Transistors | :1 |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Pulse Current Idm | :20A |
| Voltage Vds Typ | :600V |
| Voltage Vgs Max | :30V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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