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厂商型号:

STD120N4LF6

芯天下内部编号:
390-STD120N4LF6
生产厂商:

STMicroelectronics

microsemi
描述:
M
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
通道模式 Enhancement
标准包装名称 DPAK
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 4@10V
最大漏源电压 40
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 DPAK
最大功率耗散 110000
最大连续漏极电流 80
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 80A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 40V
标准包装 2,500
供应商设备封装 D-Pak
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 4 mOhm @ 40A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 110W
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
输入电容(Ciss ) @ VDS 4300pF @ 25V
其他名称 497-11097-2
闸电荷(Qg ) @ VGS 80nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Power MOSFET
外形尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm
身高 2.4mm
长度 6.6mm
最大连续漏极电流 80 A
最大漏源电阻 5 mΩ
最大漏源电压 40 V
最大门源电压 ±20 V
最高工作温度 +175 °C
最大功率耗散 110 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 TO-252
典型栅极电荷@ VGS 80 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS 4300 pF V @ 25
典型关闭延迟时间 125 ns
典型导通延迟时间 15 ns
宽度 6.2mm
安装风格 SMD/SMT
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 80 A
RDS(ON) 3.6 mOhms
功率耗散 110 W
配置 Single
漏源击穿电压 40 V
RoHS RoHS Compliant
栅极电荷Qg 80 nC
栅源电压(最大值) �20 V
安装 Surface Mount
工作温度范围 -55C to 175C
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 40 V
弧度硬化 No
删除 Compliant
Continuous Drain Current Id :80A
Drain Source Voltage Vds :40V
On Resistance Rds(on) :0.004ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :1V
功耗 :110W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :175°C
Transistor Case Style :TO-252
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
工作温度范围 :-55°C to +175°C
Weight (kg) 0.00033
Tariff No. 85412900

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