STMicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±30 |
| 安装 | Surface Mount |
| Package Width | 9.35(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 70000 |
| 最大漏源电压 | 620 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 2000@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | D2PAK |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 10.4(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| Package Height | 4.6(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 3.8 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3.8A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.5V @ 50µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 620V |
| 标准包装 | 1,000 |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.95 Ohm @ 1.9A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 70W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 450pF @ 50V |
| 其他名称 | 497-10645-2 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 14nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 3 V |
| 连续漏极电流 | 2 A |
| RDS（ON） | 1.95 Ohms |
| 功率耗散 | 70 W |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 620 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 14 nC |
| 删除 | Compliant |
| 栅源电压（最大值） | �30 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | D2PAK |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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