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厂商型号:

STB14NM50N

芯天下内部编号:
390-STB14NM50N
生产厂商:

STMicroelectronics

microsemi
描述:
M
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
最大门源电压 ±25
安装 Surface Mount
Package Width 9.35(Max)
PCB 2
最大功率耗散 90000
最大漏源电压 500
欧盟RoHS指令 Compliant
Maximum Drain Source Resistance 320@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 D2PAK
标准包装名称 D2PAK
最高工作温度 150
渠道类型 N
Package Length 10.4(Max)
引脚数 3
通道模式 Enhancement
Package Height 4.6(Max)
最大连续漏极电流 12
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 12A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 100µA
漏极至源极电压(Vdss) 500V
供应商设备封装 D2PAK
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 320 mOhm @ 6A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 90W
标准包装 1,000
输入电容(Ciss ) @ VDS 816pF @ 50V
其他名称 497-10644-2
闸电荷(Qg ) @ VGS 27nC @ 10V
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Power MOSFET
外形尺寸 10.75 x 10.4 x 4.6mm
身高 4.6mm
长度 10.75mm
最大连续漏极电流 12 A
最大漏源电阻 0.32 Ω
最大漏源电压 500 V
最大门源电压 ±25 V
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 90 W
包装类型 TO-263
典型栅极电荷@ VGS 27 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS 816 pF V @ 50
典型关闭延迟时间 42 ns
典型导通延迟时间 10.2 ns
宽度 10.4mm
安装风格 SMD/SMT
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Dual
源极击穿电压 2 V
连续漏极电流 12 A
RDS(ON) 900 mOhms
功率耗散 90 W
封装/外壳 TO-263
栅极电荷Qg 42 nC
上升时间 9 ns
漏源击穿电压 500 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 32 ns
栅源电压(最大值) �25 V
工作温度范围 -55C to 150C
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 500 V
弧度硬化 No
删除 Compliant
Continuous Drain Current Id :12A
Drain Source Voltage Vds :500V
On Resistance Rds(on) :0.28ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :3V
功耗 :90W
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TO-263
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Weight (kg) 0.138
Tariff No. 85412900

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