stmicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 5Case M-246 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大连续漏极电流 | 14 A |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 工作温度 | -65 to 200 °C |
| 安装 | Screw |
| 标准包装 | Boxed |
| 供应商封装形式 | Case M-246 |
| 最大频率 | 860 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 200 |
| 输出功率 | 100 |
| 最低工作温度 | -65 |
| Typical Drain Efficiency | 60 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tube |
| Typical Power Gain | 16 |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 典型输入电容@ VDS | 82@28V |
| 最大功率耗散 | 217000 |
| 最大连续漏极电流 | 14 |
| 引脚数 | 5 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 电压 - 额定 | 65V |
| 供应商设备封装 | M246 |
| 电压 - 测试 | 28V |
| 频率 | 860MHz |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | M246 |
| 电流 - 测试 | 400mA |
| 额定电流 | 14A |
| 功率 - 输出 | 100W |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 15 |
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Dual |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 14 A |
| 正向跨导 - 闵 | 3 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 漏源击穿电压 | 65 V |
| 功率耗散 | 217 W |
| 输出功率 | 100 W |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 产品类型 | RF MOSFET Power |
| 类型 | MOSFET |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工作温度范围 | -65C to 200C |
| 包装类型 | Case M-246 |
| 元件数 | 2 |
| 筛选等级 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 驻波比（Max ） | 5(Min) |
| 频率（最大） | 860 MHz |
| 频率（最小值） | 470 MHz |
| 正向跨导（典型值） | 3 S |
| 输入电容（典型值） @ VDS | 82@28V pF |
| 输出电容（典型值） @ VDS | 48@28V pF |
| 功率增益（典型值） @ VDS | 16 dB |
| 漏极效率（典型值） | 60 % |
| 反向电容（典型值） | 2.8@28V pF |
| 输出功率（最大） | 100W |
| 漏源电压（最大值） | 60 V |
| 功率耗散（最大） | 217000 mW |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 65 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/- 20 V |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| Id - Continuous Drain Current | 14 A |
| 长度 | 29.08 mm |
| 工作频率 | 1 GHz |
| 系列 | SD56120 |
| 身高 | 5.08 mm |
| Pd - Power Dissipation | 217 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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