STMicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 系列 | * |
| 标准包装 | 25 |
| 配置 | Triple |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 40 A |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 648 W |
| 频率 | 100 MHz |
| 输出功率 | 300 W |
| 增益 | 24 dB |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 封装/外壳 | M177MR-5 |
| 产品类型 | RF Power Transistor |
| 类型 | Moisture Resistant DMOS Transistor |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 电压 - 额定 | 200V |
| 供应商设备封装 | M177 |
| 电压 - 测试 | 50V |
| 封装 | Tray |
| 电流 - 测试 | 250mA |
| 额定电流 | 40A |
| 功率 - 输出 | 300W |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/- 20 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| 技术 | Si |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| Id - Continuous Drain Current | 40 A |
| Pd - Power Dissipation | 648 W |
| 工作频率 | 100 MHz |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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