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stmicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 2Power SO-10RF |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大连续漏极电流 | 7 A |
| 最大门源电压 | -0.5|15 V |
| 工作温度 | -65 to 165 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 符合UE | Compliant |
| Dissipazione massima della potenza | 79000 |
| Corrente di drain continua massima | 7 |
| Confezione | Tube |
| 诺姆标准苏拉confezione | PowerSO-10RF (Straight lead) |
| Capacità d'ingresso tipica @ Vds | 55@12.5V |
| Massima temperatura d'esercizio | 165 |
| Efficienza drain tipica | 66 |
| Massima tensione di drain alla fonte | 40 |
| TIPO二运河 | N |
| 经conduttore | Flat |
| Potenza in uscita | 30(Typ) |
| 每个芯片NUMERO二培元 | 1 |
| Confezione fornitore | PowerSO-10RF (Straight lead) |
| Modalità canale | Enhancement |
| Frequenza massima | 1000 |
| Guadagno di potenza tipico | 17.3 |
| Temperatura d'esercizio minima | -65 |
| NUMERO DEI针 | 3 |
| 单位包 | 50 |
| 最小起订量 | 400 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 电压 - 额定 | 40V |
| 供应商设备封装 | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
| 电压 - 测试 | 13.6V |
| 封装 | Tube |
| 频率 | 870MHz |
| 增益 | 17.3dB |
| 封装/外壳 | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
| 电流 - 测试 | 300mA |
| 额定电流 | 7A |
| 功率 - 输出 | 10W |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | 15 V |
| 连续漏极电流 | 7 A |
| 功率耗散 | 79 W |
| 输出功率 | 25 W |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 产品类型 | MOSFET Power |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工作温度范围 | -65C to 165C |
| 引脚数 | 2 +Tab |
| 元件数 | 1 |
| 渠道类型 | N |
| 筛选等级 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 驻波比（Max ） | 20(Min) |
| 频率（最大） | 1000 MHz |
| 输入电容（典型值） @ VDS | 55@12.5V pF |
| 输出电容（典型值） @ VDS | 40@12.5V pF |
| 功率增益（典型值） @ VDS | 17.3 dB |
| 漏极效率（典型值） | 66 % |
| 反向电容（典型值） | 1.5@12.5V pF |
| 输出功率（最大） | 30W(Typ) |
| 漏源电压（最大值） | 40 V |
| 功率耗散（最大） | 79000 mW |
| 工厂包装数量 | 400 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 15 V |
| 类型 | RF Power MOSFET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| Id - Continuous Drain Current | 7 A |
| 长度 | 9.4 mm |
| 工作频率 | 1 GHz |
| 系列 | PD85025-E |
| 身高 | 3.5 mm |
| Pd - Power Dissipation | 79 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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