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stmicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 4PowerSO-10RF (Straight lead) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 65 V |
| 最大连续漏极电流 | 7 A |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 工作温度 | -65 to 165 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 供应商封装形式 | PowerSO-10RF (Straight lead) |
| 标准包装名称 | PowerSO-10RF (Straight lead) |
| Maximum Frequency | 1000 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 165 |
| 输出功率 | 60(Min) |
| 最低工作温度 | -65 |
| Typical Drain Efficiency | 54 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tube |
| Typical Power Gain | 14.3 |
| 最大漏源电压 | 65 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Typical Input Capacitance @ Vds | 83@28V |
| 最大功率耗散 | 79000 |
| 最大连续漏极电流 | 7 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Flat |
| 单位包 | 50 |
| 最小起订量 | 400 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 电压 - 额定 | 65V |
| 供应商设备封装 | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
| 电压 - 测试 | 28V |
| 频率 | 945MHz |
| 增益 | 14.3dB |
| 封装/外壳 | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
| 电流 - 测试 | 100mA |
| 额定电流 | 7A |
| 功率 - 输出 | 60W |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 7 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 79 W |
| 输出功率 | 60 W |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 65 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工作温度范围 | -65C to 165C |
| 元件数 | 1 |
| 筛选等级 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 驻波比（Max ） | 5(Min) |
| 频率（最大） | 1000 MHz |
| 正向跨导（典型值） | 2.5(Min) S |
| 输入电容（典型值） @ VDS | 83@28V pF |
| 输出电容（典型值） @ VDS | 58@28V pF |
| 功率增益（典型值） @ VDS | 14.3 dB |
| 漏极效率（典型值） | 54 % |
| 反向电容（典型值） | 3@28V pF |
| 输出功率（最大） | 60W(Min) |
| 漏源电压（最大值） | 65 V |
| 功率耗散（最大） | 79000 mW |
| 电流 - 测试 | 100mA |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 电压 - 测试 | 28V |
| 增益 | 14.3dB |
| 额定电流 | 7A |
| 封装/外壳 | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
| 频率 | 945MHz |
| 电压 - 额定 | 65V |
| 功率 - 输出 | 60W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 65 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/- 20 V |
| 类型 | RF Power MOSFET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| Id - Continuous Drain Current | 7 A |
| 长度 | 7.5 mm |
| 工作频率 | 1 GHz |
| 系列 | PD57060-E |
| 身高 | 3.5 mm |
| Pd - Power Dissipation | 79 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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