stmicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-220 |
| 配置 | Single |
| 类型 | NPN |
| 最大集电极发射极电压 | 200 V |
| 峰值直流集电极电流 | 8 A |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.5@50mA@5A V |
| 最大集电极基极电压 | 400 V |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 2.4@50mA@5A |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.5@50mA@5A |
| Package Width | 4.6(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 60000 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大集电极发射极电压 | 200 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 400 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 供应商封装形式 | TO-220 |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最高工作温度 | 150 |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 8 |
| Package Length | 10.4(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| Package Height | 9.15(Max) |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 |
| 封装 | Tube |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 8A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.5V @ 50mA, 5A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 200V |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 功率 - 最大 | 60W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| Current,Input | 2A |
| Current,Output | 8A |
| PackageType | TO-220 |
| 极性 | NPN |
| PowerDissipation | 60W |
| PrimaryType | Si |
| Resistance,Thermal,JunctiontoAmbient | 70°C/W |
| Time,Turn-OffDelay | 0.4μs |
| Time,Turn-OnDelay | 0.35μs |
| Voltage,CollectortoEmitter,Saturation | 1.5V |
| Voltage,Input | 6V |
| Voltage,Output | 200V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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