STMicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流 | 13 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 0.0066 Ohms |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | SO-8 |
| 封装 | Reel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 2.7 W |
| 寿命 | New Product: New from this manufacturer. |
| 最大门源电压 | 22 |
| 安装 | Surface Mount |
| Package Width | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 2700 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 6.6@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SO N |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 5(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| 通道模式 | Enhancement |
| Package Height | 1.65(Max) |
| Maximum Continuous Drain Current | 13 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 13A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6.6 mOhm @ 6.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.7W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1500pF @ 25V |
| 其他名称 | 497-12347-2 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 12nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SO N |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 弧度硬化 | No |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1500pF @ 25V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 6.6 mOhm @ 6.5A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 12nC @ 4.5V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 13A (Tc) |
| 功率 - 最大值 | 2.7W |
| 系列 | N-channel STripFET |
| Id - Continuous Drain Current | 13 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| Pd - Power Dissipation | 2.7 W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6.6 mOhms |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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