STMicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum Gate Source Voltage | ±25 |
| 安装 | Through Hole |
| Package Width | 4.6(Max) |
| PCB | 3 |
| Maximum Power Dissipation | 60000 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 1200@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-220 |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 10.4(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| Package Height | 9.15(Max) |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.5 |
| 封装 | Tube |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| 单位包 | 50 |
| 最小起订量 | 2000 |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4.5A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 供应商设备封装 | TO-220 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.2 Ohm @ 2.25A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 60W |
| 标准包装 | 50 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 232pF @ 100V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 8nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 10.4 x 4.6 x 15.75mm |
| 身高 | 15.75mm |
| 长度 | 10.4mm |
| 最大连续漏极电流 | 4.5 A |
| 最大漏源电阻 | 1.2 Ω |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 最大门源电压 | ±25 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 60 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-220 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 8 nC @ 10 V |
| 典型输入电容@ VDS | 232 pF @ 100 V |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 典型导通延迟时间 | 9.5 ns |
| 宽度 | 4.6mm |
| 安装风格 | Through Hole |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 25 V |
| 连续漏极电流 | 4.5 A |
| RDS（ON） | 1.06 Ohms |
| 功率耗散 | 60 W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 栅极电荷Qg | 8 nC |
| 上升时间 | 7.4 ns |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 22.5 ns |
| 栅源电压（最大值） | �25 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 600 V |
| 弧度硬化 | No |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4.5A (Tc) |
| 高度 | 15.75mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 10.4mm |
| 典型输入电容值@Vds | 232 pF@ 10 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 1.2 Ω |
| 通道类型 | N |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 引脚数目 | 3 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 60 W |
| 最大栅源电压 | ±25 V |
| 宽度 | 4.6mm |
| 尺寸 | 10.4 x 4.6 x 15.75mm |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 典型接通延迟时间 | 9.5 ns |
| 典型关断延迟时间 | 24 ns |
| 封装类型 | TO-220 |
| 最大连续漏极电流 | 4.5 A |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8 nC @ 10 V |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Qg - Gate Charge | 8 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 4.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.06 Ohms |
| 系列 | MDmesh M2 |
| Pd - Power Dissipation | 60 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
