STMicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 180A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3.8V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 供应商设备封装 | TO-220 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2.7 mOhm @ 60A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 315W |
| 标准包装 | 50 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 12800pF @ 25V |
| 其他名称 | 497-13233-5 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 180nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 类别 | Power MOSFET |
| 通道模式 | Enhancement |
| 渠道类型 | N |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 10.4 x 4.6 x 15.75mm |
| 身高 | 15.75mm |
| 长度 | 10.4mm |
| 最大连续漏极电流 | 180 A |
| 最大漏源电阻 | 2.7 mΩ |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大功率耗散 | 315 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | TO-220 |
| 引脚数 | 3 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 180 nC @ 10 V |
| 典型输入电容@ VDS | 12800 pF @ 25 V |
| 典型关闭延迟时间 | 148 ns |
| 典型导通延迟时间 | 62 ns |
| 宽度 | 4.6mm |
| RoHS指令 | Compliant |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 180 A |
| RDS（ON） | 2.7 mOhms |
| 功率耗散 | 315 W |
| 封装/外壳 | TO-220 |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 安装 | Through Hole |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 100 V |
| 弧度硬化 | No |
| 高度 | 15.75mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 10.4mm |
| 典型输入电容值@Vds | 12800 pF @ 25 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 2.7 mΩ |
| 通道类型 | N |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 315 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 4.6mm |
| 尺寸 | 10.4 x 4.6 x 15.75mm |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 典型接通延迟时间 | 62 ns |
| 典型关断延迟时间 | 148 ns |
| 封装类型 | TO-220 |
| 最大连续漏极电流 | 180 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Qg - Gate Charge | 180 nC |
| 系列 | N-channel STripFET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| Id - Continuous Drain Current | 180 A |
| Pd - Power Dissipation | 315 W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.7 mOhms |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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