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Thumbnail STP20NM50FP Thumbnail STP20NM50FP
厂商型号:

STP20NM50FP

芯天下内部编号:
390-STP20NM50FP
生产厂商:

STMicroelectronics

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
Maximum Gate Source Voltage ±30
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
通道模式 Enhancement
标准包装名称 TO-220F
最低工作温度 -65
渠道类型 N
封装 Tube
Maximum Drain Source Resistance 250@10V
Maximum Drain Source Voltage 500
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 TO-220FP
最大功率耗散 45000
Maximum Continuous Drain Current 20
引脚数 3
铅形状 Through Hole
单位包 50
最小起订量 1000
FET特点 Standard
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 20A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 550V
标准包装 50
供应商设备封装 TO-220FP
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 250 mOhm @ 10A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 45W
封装/外壳 TO-220-3 Full Pack
输入电容(Ciss ) @ VDS 1480pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 56nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Power MOSFET
外形尺寸 10.4 x 4.6 x 16.4mm
身高 16.4mm
长度 10.4mm
最大连续漏极电流 20 A
最大漏源电阻 0.25 Ω
最大漏源电压 500 V
最大门源电压 ±30 V
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 45 W
最低工作温度 -65 °C
包装类型 TO-220FP
典型栅极电荷@ VGS 40 nC @ 10 V
典型输入电容@ VDS 1480 pF @ 25 V
典型关闭延迟时间 40 ns
典型导通延迟时间 24 ns
宽度 4.6mm
工厂包装数量 50
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 30 V
连续漏极电流 20 A
正向跨导 - 闵 10 S
安装风格 Through Hole
RDS(ON) 250 mOhms
功率耗散 45 W
上升时间 16 ns
漏源击穿电压 500 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 8.5 ns
漏极电流(最大值) 20 A
频率(最大) Not Required MHz
栅源电压(最大值) �30 V
输出功率(最大) Not Required W
安装 Through Hole
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.25 ohm
工作温度范围 -65C to 150C
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %
漏源导通电压 500 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :20A
Drain Source Voltage Vds :500V
On Resistance Rds(on) :0.2ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :4V
功耗 :45W
Operating Temperature Min :-65°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TO-220FP
No. of Pins :3
MSL :-
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
工作温度范围 :-65°C to +150°C
Weight (kg) 0.19
Tariff No. 85412900

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