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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

STL150N3LLH5 

产品描述

MOSFET N-channel 30 V PowerFLAT

内部编号

390-STL150N3LLH5

生产厂商

STMicroelectronics

stm

#1

数量:3000
1+¥3.8985
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

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STL150N3LLH5产品详细规格

规格书 STL150N3LLH5 datasheet 规格书
STL150N3LLH5
STL150N3LLH5 datasheet 规格书
STL150N3LLH5 datasheet 规格书
文档 STL150N3LLH5 View All Specifications
Rohs Lead free / RoHS Compliant
其他相关文件 STL150N3LLH5 View All Specifications
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 94A
Rds(最大)@ ID,VGS 1.75 mOhm @ 17.5A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 40nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 5800pF @ 25V
功率 - 最大 4W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-PowerVDFN
供应商器件封装 PowerFlat™ (6x5)
包装材料 Tape & Reel (TR)
最大门源电压 ±22
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
通道模式 Enhancement
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 1.75@10V
最大漏源电压 30
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 Power Flat
最大功率耗散 114000
最大连续漏极电流 195
引脚数 8
铅形状 No Lead
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 195A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.2V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 30V
标准包装 3,000
供应商设备封装 PowerFlat™ (6x5)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 1.75 mOhm @ 17.5A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 4W
封装/外壳 8-PowerVDFN
输入电容(Ciss ) @ VDS 5800pF @ 25V
其他名称 497-8483-2
闸电荷(Qg ) @ VGS 40nC @ 4.5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
安装风格 SMD/SMT
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 22 V
连续漏极电流 150 A
RDS(ON) 1.75 mOhms
功率耗散 80 W
最低工作温度 - 55 C
典型关闭延迟时间 65.8 ns
上升时间 30.8 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 30 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 47.8 ns
Continuous Drain Current Id :35A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :1.4mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :1.55V
功耗 :80W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :PowerFLAT
No. of Pins :8
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Current Id Max :35A
工作温度范围 :-55°C to +150°C
端接类型 :SMD
晶体管类型 :Power MOSFET
Voltage Vds Typ :30V
Voltage Vgs Max :22V
Voltage Vgs Rds on Measurement :10V
Weight (kg) 0.0002
Tariff No. 85412900

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