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厂商型号

STGFL6NC60D 

产品描述

IGBT Transistors N Ch 500V 0.250 Ohm 12A Pwr MOSFET

内部编号

390-STGFL6NC60D

生产厂商

STMicroelectronics

stm

#1

数量:537
1+¥12.0841
10+¥10.8268
100+¥8.7012
500+¥7.149
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STGFL6NC60D产品详细规格

规格书 STGFL6NC60D datasheet 规格书
STGxL6NC60D
标准包装 50
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
蒸气云爆炸(上)(最大值)”的发展,集成电路 2.9V @ 15V, 3A
集电极电流(Ic)(最大) 7A
当前 - Collector Pulsed (Icm) 15A
功率 - 最大 22W
Switching 能源 70µJ
输入 型 Standard
栅极电荷 12nC
Td(开/关)@ 25°C 6.7ns/46ns
测试条件 390V, 3A, 10 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr) 30ns
包装材料 Tube
包/盒 TO-220-3 Full Pack
安装类型 Through Hole
供应商器件封装 TO-220FP;;其他的名称;
供应商封装形式 TO-220FP
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 7
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-220F
渠道类型 N
封装 Tube
最大集电极发射极电压 600
最大功率耗散 22000
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Through Hole
栅极电荷 12nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 7A
安装类型 Through Hole
开关能量 70µJ
标准包装 50
时间Td(开/关) @ 25°C 6.7ns/46ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.9V @ 15V, 3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 TO-220FP
反向恢复时间(trr ) 30ns
功率 - 最大 22W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-220-3 Full Pack
测试条件 390V, 3A, 10 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 15A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 1000
产品种类 IGBT Transistors
连续集电极电流Ic最大 7 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
安装风格 Through Hole
最大栅极发射极电压 +/- 20 V
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant

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