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厂商型号

STFW6N120K3 

产品描述

MOSFET N-Ch 1200V 1.95 Ohm 6A Zener SuperMESH3

内部编号

390-STFW6N120K3

生产厂商

STMicroelectronics

stm

#1

数量:421
1+¥48.8896
10+¥43.9664
25+¥40.0689
100+¥36.1714
250+¥32.9577
500+¥30.0859
1000+¥26.2568
2500+¥24.1371
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:30
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:660
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

STFW6N120K3产品详细规格

规格书 STFW6N120K3 datasheet 规格书
ST(FW,P,W)6N120K3
STFW6N120K3 datasheet 规格书
文档 STFW6N120K3 View All Specifications
Rohs Lead free / RoHS Compliant
其他相关文件 STFW6N120K3 View All Specifications
标准包装 30
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 1200V (1.2kV)
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 6A
Rds(最大)@ ID,VGS 2.4 Ohm @ 2.5A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 5V @ 100µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 34nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1050pF @ 100V
功率 - 最大 63W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-3P-3 Full Pack
供应商器件封装 TO-3PF
包装材料 Tube
最大门源电压 ±30
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
通道模式 Enhancement
标准包装名称 TO-220F
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tube
最大漏源电阻 2400@10V
最大漏源电压 1200
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 TO-220FP
最大功率耗散 63000
最大连续漏极电流 6
引脚数 3
铅形状 Through Hole
P( TOT ) 63W
匹配代码 STFW6N120K3
安装 THT
R( THJC ) 1.98K/W
LogicLevel NO
包装 TO3-PF
单位包 30
标准的提前期 12 weeks
最小起订量 300
Q(克) 32nC
LLRDS (上) n.s.Ohm
汽车 NO
LLRDS (上)在 n.s.V
我(D ) 6A
V( DS ) 1200V
技术 SuperMESH3
的RDS(on ) at10V 2.4Ohm
无铅Defin RoHS-conform
FET特点 Standard
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 6A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 100µA
漏极至源极电压(Vdss) 1200V (1.2kV)
标准包装 30
供应商设备封装 TO-3PF
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 2.4 Ohm @ 2.5A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 63W
封装/外壳 TO-3P-3 Full Pack
输入电容(Ciss ) @ VDS 1050pF @ 100V
其他名称 497-12122
闸电荷(Qg ) @ VGS 34nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
安装风格 Through Hole
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 30 V
连续漏极电流 6 A
RDS(ON) 2.4 Ohms
功率耗散 150 W
最低工作温度 - 55 C
栅极电荷Qg 34 nC
典型关闭延迟时间 58 ns
上升时间 12 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 1.2 kV
RoHS RoHS Compliant
下降时间 32 ns
栅源电压(最大值) 30 V
漏源导通电阻 2.4 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-220FP
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 1200 V
弧度硬化 No

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