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文档 |
STFW6N120K3 View All Specifications |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
其他相关文件 | STFW6N120K3 View All Specifications |
标准包装 | 30 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 1200V (1.2kV) |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 6A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 2.4 Ohm @ 2.5A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 5V @ 100µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 34nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1050pF @ 100V |
功率 - 最大 | 63W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-3P-3 Full Pack |
供应商器件封装 | TO-3PF |
包装材料 | Tube |
最大门源电压 | ±30 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
通道模式 | Enhancement |
标准包装名称 | TO-220F |
最低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
封装 | Tube |
最大漏源电阻 | 2400@10V |
最大漏源电压 | 1200 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | TO-220FP |
最大功率耗散 | 63000 |
最大连续漏极电流 | 6 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Through Hole |
P( TOT ) | 63W |
匹配代码 | STFW6N120K3 |
安装 | THT |
R( THJC ) | 1.98K/W |
LogicLevel | NO |
包装 | TO3-PF |
单位包 | 30 |
标准的提前期 | 12 weeks |
最小起订量 | 300 |
Q(克) | 32nC |
LLRDS (上) | n.s.Ohm |
汽车 | NO |
LLRDS (上)在 | n.s.V |
我(D ) | 6A |
V( DS ) | 1200V |
技术 | SuperMESH3 |
的RDS(on ) at10V | 2.4Ohm |
无铅Defin | RoHS-conform |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 6A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 5V @ 100µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 1200V (1.2kV) |
标准包装 | 30 |
供应商设备封装 | TO-3PF |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 2.4 Ohm @ 2.5A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 63W |
封装/外壳 | TO-3P-3 Full Pack |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1050pF @ 100V |
其他名称 | 497-12122 |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 34nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
安装风格 | Through Hole |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
配置 | Single |
源极击穿电压 | 30 V |
连续漏极电流 | 6 A |
RDS(ON) | 2.4 Ohms |
功率耗散 | 150 W |
最低工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 34 nC |
典型关闭延迟时间 | 58 ns |
上升时间 | 12 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 1.2 kV |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 32 ns |
栅源电压(最大值) | 30 V |
漏源导通电阻 | 2.4 ohm |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | TO-220FP |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏源导通电压 | 1200 V |
弧度硬化 | No |
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