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| 规格书 |
 ST(B,D,P)95N4F3 |
| 文档 |
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013 STB95N4F3 View All Specifications |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他相关文件 | STB95N4F3 View All Specifications |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 40V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 80A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 5.8 mOhm @ 40A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 54nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2200pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 110W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 9.35(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 110000 |
| 最大漏源电压 | 40 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 6.2@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | D2PAK |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最高工作温度 | 175 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 10.4(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 4.6(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 80 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 80A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 标准包装 | 1,000 |
| 供应商设备封装 | D²PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 5.8 mOhm @ 40A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 110W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2200pF @ 25V |
| 其他名称 | 497-12427-2 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 54nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 80 A |
| RDS（ON） | 5.8 mOhms |
| 功率耗散 | 110 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 40 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 上升时间 | 50 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 15 ns |
| 删除 | Compliant |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | D2PAK |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 40 V |
| 弧度硬化 | No |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Qg - Gate Charge | 40 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 80 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5.8 mOhms |
| 系列 | N-channel STripFET |
| Pd - Power Dissipation | 110 W |
| 技术 | Si |
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