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| 规格书 |
 STx40NF20 |
| 文档 |
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013 STB40NF20 View All Specifications |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他相关文件 | STB40NF20 View All Specifications |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 200V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 40A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 45 mOhm @ 20A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 75nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2500pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 160W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 45@10V |
| 最大漏源电压 | 200 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | D2PAK |
| 最大功率耗散 | 160000 |
| 最大连续漏极电流 | 40 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 40A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 200V |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 45 mOhm @ 20A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 160W |
| 标准包装 | 1,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2500pF @ 25V |
| 其他名称 | 497-5804-2 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 75nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 40 A |
| 正向跨导 - 闵 | 30 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 45 mOhms |
| 功率耗散 | 160 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | D2PAK |
| 典型关闭延迟时间 | 74 ns |
| 上升时间 | 44 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 22 ns |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 漏源导通电阻 | 0.045 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | D2PAK |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 200 V |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :40A |
| Drain Source Voltage Vds | :200V |
| On Resistance Rds(on) | :45mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :3V |
| 功耗 | :160W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-263 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Current Id Max | :40A |
| On State resistance @ Vgs = 10V | :45mohm |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Pulse Current Idm | :160A |
| SMD Marking | :40NF20 |
| 端接类型 | :SMD |
| Voltage Vds Typ | :200V |
| Voltage Vgs Max | :20V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Voltage Vgs th Max | :4V |
| Weight (kg) | 0.0015 |
| Tariff No. | 85412900 |
| associated | EYGA121807A EYGA091203SM FK 244 13 D2 PAK FK 244 08 D2 PAK |
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