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| 规格书 |
 STx34NM60N |
| 文档 |
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013 STB34NM60N View All Specifications |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他相关文件 | STB34NM60N View All Specifications |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 600V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 29A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 105 mOhm @ 14.5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 84nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2722pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | 210W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 29A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 供应商设备封装 | D²PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 105 mOhm @ 14.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 210W |
| 标准包装 | 1,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2722pF @ 100V |
| 其他名称 | 497-12236-2 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 84nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 通道模式 | Enhancement |
| 渠道类型 | N |
| 外形尺寸 | 10.75 x 10.4 x 4.6mm |
| 身高 | 4.6mm |
| 长度 | 10.75mm |
| 最大连续漏极电流 | 29 A |
| 最大漏源电阻 | 0.105 Ω |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 最大门源电压 | ±25 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 210 W |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | TO-263 |
| 引脚数 | 3 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 84 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 2722 pF V @ 100 |
| 典型关闭延迟时间 | 106 ns |
| 典型导通延迟时间 | 17 ns |
| 宽度 | 10.4mm |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | :N Channel |
| Continuous Drain Current Id | :29A |
| Drain Source Voltage Vds | :600V |
| On Resistance Rds(on) | :0.092ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :3V |
| 功耗 | :210W |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-263 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Weight (kg) | 0.138 |
| Tariff No. | 85412900 |
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