图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:179 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 STx12NM50N |
| 文档 |
STB12NM50N View All Specifications |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他相关文件 | STB12NM50N View All Specifications |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 500V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 11A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 380 mOhm @ 5.5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 30nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 940pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 100W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 最大门源电压 | ±25 |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 9.35(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 100000 |
| 最大漏源电压 | 500 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 380@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | D2PAK |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 10.4(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 4.6(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 11 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 11A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 标准包装 | 1,000 |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 380 mOhm @ 5.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 100W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 940pF @ 50V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 30nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | 497-5781-1 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 25 V |
| 连续漏极电流 | 11 A |
| 正向跨导 - 闵 | 17 S |
| RDS（ON） | 380 mOhms |
| 功率耗散 | 1000 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 上升时间 | 15 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 14 ns |
| Continuous Drain Current Id | :11A |
| Drain Source Voltage Vds | :550V |
| On Resistance Rds(on) | :380mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :3V |
| 功耗 | :100W |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-263 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Avalanche Single Pulse Energy Eas | :350mJ |
| Capacitance Ciss Typ | :880pF |
| Current Iar | :5A |
| Current Id Max | :11A |
| Junction Temperature Tj Max | :150°C |
| Junction Temperature Tj Min | :-55°C |
| On State resistance @ Vgs = 10V | :380mohm |
| Pulse Current Idm | :44A |
| Rate of Voltage Change dv / dt | :15V/ns |
| 端接类型 | :SMD |
| Voltage Vds Typ | :500V |
| Voltage Vgs Max | :25V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Voltage Vgs th Max | :4V |
| Voltage Vgs th Min | :2V |
| Weight (kg) | 0.0015 |
| Tariff No. | 85412900 |
| associated | EYGA121807A EYGA091203SM FK 244 13 D2 PAK FK 244 08 D2 PAK |
STB12NM50N也可以通过以下分类找到
STB12NM50N相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
