STMicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 供应商封装形式 | STAC244F |
| Maximum Frequency | 250 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 200 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 输出功率 | 1200(Typ) |
| Typical Drain Efficiency | 60 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tray |
| Typical Power Gain | 26 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| Typical Input Capacitance @ Vds | 570@100V |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大漏源电压 | 200 |
| 引脚数 | 4 |
| 铅形状 | Flat |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 电压 - 额定 | 200V |
| 标准包装 | 20 |
| 供应商设备封装 | STAC244F |
| 电压 - 测试 | 100V |
| 频率 | 123MHz |
| 增益 | 26dB |
| 封装/外壳 | STAC244F |
| 电流 - 测试 | 250mA |
| 功率 - 输出 | 1200W |
| 其他名称 | 497-12235 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Dual Common Source |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 1 mA |
| 系列 | STAC |
| 输出功率 | 1000 W |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 正向跨导 - 闵 | 6 S |
| 产品类型 | RF Power Transistor |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -65C to 200C |
| 元件数 | 2 |
| 筛选等级 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 应用 | HF/VHF/UHF |
| 频率（最大） | 250 MHz |
| 正向跨导（典型值） | 6 S |
| 输出电容（典型值） @ VDS | 134@100V pF |
| 功率增益（典型值） @ VDS | 26 dB |
| 漏极效率（典型值） | 60 % |
| 漏源电压（最大值） | 200 V |
| 工厂包装数量 | 80 |
| 类型 | RF Power MOSFET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| Id - Continuous Drain Current | 1 mA |
| 工作频率 | 250 MHz |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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