STMicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 供应商封装形式 | Case M-243 |
| 最大频率 | 2000 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 200 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 输出功率 | 54(Typ) |
| Package Height | 4.45(Max) |
| 安装 | Screw |
| Typical Drain Efficiency | 51 |
| 渠道类型 | N |
| Typical Power Gain | 13.3 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大漏源电压 | 80 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Package Width | 6.1(Max) |
| 典型输入电容@ VDS | 77@28V |
| PCB | 3 |
| Package Length | 20.57(Max) |
| 最大功率耗散 | 130000 |
| 最大连续漏极电流 | 12 |
| 引脚数 | 3 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 电压 - 额定 | 80V |
| 标准包装 | 25 |
| 供应商设备封装 | M243 |
| 电压 - 测试 | 28V |
| 封装 | Box |
| 频率 | 2GHz |
| 增益 | 13.3dB |
| 封装/外壳 | M243 |
| 电流 - 测试 | 500mA |
| 额定电流 | 12A |
| 功率 - 输出 | 54W |
| 其他名称 | 497-13349 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 15 V |
| 连续漏极电流 | 12 A |
| 功率耗散 | 130 W |
| 输出功率 | 65 W |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 80 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工作温度范围 | -65C to 200C |
| 包装类型 | Case M-243 |
| 元件数 | 1 |
| 筛选等级 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率（最大） | 2000 MHz |
| 正向跨导（典型值） | 2.5(Min) S |
| 输入电容（典型值） @ VDS | 77@28V pF |
| 漏极效率（典型值） | 51 % |
| 反向电容（典型值） | 1.2@28V pF |
| 功率耗散（最大） | 130000 mW |
| 系列 | LET20045 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 80 V |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 类型 | RF Power MOSFET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| Id - Continuous Drain Current | 12 A |
| Pd - Power Dissipation | 130 W |
| 工作频率 | 2 GHz |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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