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厂商型号

BD179 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Gen Purpose Sw

内部编号

390-BD179

生产厂商

STMicroelectronics

STM

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BD179产品详细规格

规格书 BD179 datasheet 规格书
BD179
文档 BD179 View All Specifications
Multiple Devices 23/Jul/2013
Status Active
单位包 50
最小起订量 8000
电流 - 集电极( Ic)(最大) 3A
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 800mV @ 100mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大) 100µA (ICBO)
标准包装 2,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
供应商设备封装 SOT-32
封装 Tube
功率 - 最大 30W
封装/外壳 TO-225AA, TO-126-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 15 @ 2V, 1A
其他名称 BD179ST
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 3 A
集电极 - 基极电压 80 V
集电极 - 发射极电压 80 V
发射极 - 基极电压 5 V
功率耗散 30 W
安装 Through Hole
工作温度范围 -65C to 150C
包装类型 SOT-32
引脚数 3
元件数 1
直流电流增益(最小值) 40
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
晶体管极性 NPN
集电极电流(DC ) 3 A
直流电流增益 40

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