stmicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-247 |
| 配置 | Single |
| 类型 | NPN |
| 最大集电极发射极电压 | 80 V |
| 峰值直流集电极电流 | 25 A |
| 最小直流电流增益 | 600@5A@3V|500@10A@3V|300@20A@3V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.2@20mA@5A|1.75@40mA@10A|3.5@80mA@20A V |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 3.3@80mA@20A |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.2@20mA@5A|1.75@40mA@10A|3.5@80m... |
| Package Width | 5.15(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 130000 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大集电极发射极电压 | 80 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 供应商封装形式 | TO-247 |
| 标准包装名称 | TO-247 |
| 最高工作温度 | 150 |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 25 |
| Package Length | 15.75(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| Package Height | 20.15(Max) |
| 封装 | Tube |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 25A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 3.5V @ 80mA, 20A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| 供应商设备封装 | TO-247-3 |
| 功率 - 最大 | 130W |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 500 @ 10A, 3V |
| 其他名称 | 497-11084-5 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | Transistors Darlington |
| 晶体管极性 | NPN |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 600 |
| 集电极最大直流电流 | 40 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 功率耗散 | 130 W |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 80 V |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 25 A |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 3.5V @ 80mA, 20A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500µA |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 500 @ 10A, 3V |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 功率 - 最大值 | 130W |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 25A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 80V |
| 系列 | Darlingtons |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| Pd - Power Dissipation | 130 W |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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