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厂商型号:

2N6036

芯天下内部编号:
390-2N6036
生产厂商:

stmicroelectronics

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3SOT-32
配置 Single
类型 PNP
最大集电极发射极电压 80 V
峰值直流集电极电流 4 A
最小直流电流增益 100@4A@3V|750@2A@3V|500@500mA@3V
最大集电极发射极饱和电压 2@8mA@2A|3@40mA@4A V
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
供应商封装形式 SOT-32
标准包装名称 TO-126
欧盟RoHS指令 Compliant
包装宽度 2.7(Max)
包装高度 10.8(Max)
标签 Tab
PCB 3
包装长度 7.8(Max)
引脚数 3
铅形状 Through Hole
单位包 50
最小起订量 2000
电流 - 集电极( Ic)(最大) 4A
晶体管类型 PNP - Darlington
安装类型 Through Hole
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 3V @ 40mA, 4A
电流 - 集电极截止(最大) 100µA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
供应商设备封装 SOT-32
封装 Tube
功率 - 最大 40W
封装/外壳 TO-225AA, TO-126-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 750 @ 2A, 3V
其他名称 497-2540-5
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
产品种类 Transistors Darlington
晶体管极性 PNP
直流集电极/增益hfe最小值 100
集电极最大直流电流 4 A
最大集电极截止电流 100 uA
集电极 - 发射极最大电压VCEO 80 V
安装风格 Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO 80 V
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 4 A
集电极 - 基极电压 80 V
集电极 - 发射极电压 80 V
集电极 - 发射极饱和电压 2 V
发射极 - 基极电压 5 V
工作温度范围 -65C to 150C
包装类型 SOT-32
极性 PNP
元件数 1
工作温度分类 Military
基射极饱和电压(最大值) 4 V
弧度硬化 No
直流电流增益 100
集电极电流(DC ) 4 A
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :80V
功耗 :40W
DC Collector Current :4A
DC Current Gain hFE :750
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-32
No. of Pins :3
MSL :-
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Av Current Ic :4A
Collector Emitter Voltage Vces :-2V
连续集电极电流Ic最大 :8A
Current Ic Continuous a Max :4A
Current Ic hFE :4A
Full Power Rating Temperature :25°C
Hfe Min :100
No. of Transistors :1
Power Dissipation Ptot Max :40W
端接类型 :SMD
Weight (kg) 0.002
Tariff No. 85412900
Current,Gain 15000
Current,Input -0.1A
Current,Output -4A
PackageType SOT-32
PowerDissipation 40W
PrimaryType Si
Resistance,Thermal,JunctiontoAmbient 83.3°C/W
Voltage,CollectortoEmitter,Saturation -3V
Voltage,Input -5V
Voltage,Output -80V

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