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厂商型号:

2N5195

芯天下内部编号:
390-2N5195
生产厂商:

stmicroelectronics

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3SOT-32
类型 PNP
引脚数 3
最大集电极发射极电压 80 V
集电极最大直流电流 4 A
最小直流电流增益 20@1.5A@2V|7@4A@2V
最大工作频率 2(Min) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.6@0.15A@1.5A|1.2@1A@4A V
工作温度 -65 to 150 °C
最大功率耗散 40000 mW
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
集电极最大直流电流 4
Maximum Transition Frequency 2(Min)
Package Width 2.7(Max)
PCB 3
最大功率耗散 40000
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 80
最低工作温度 -65
供应商封装形式 SOT-32
标准包装名称 TO-126
最高工作温度 150
Package Length 7.8(Max)
最大集电极发射极电压 80
Package Height 10.8(Max)
Maximum Emitter Base Voltage 5
封装 Tube
标签 Tab
铅形状 Through Hole
单位包 50
最小起订量 2000
电流 - 集电极( Ic)(最大) 4A
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 2MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1.2V @ 1A, 4A
电流 - 集电极截止(最大) 1mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
供应商设备封装 SOT-32-3
功率 - 最大 40W
封装/外壳 TO-225AA, TO-126-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 20 @ 1.5A, 2V
其他名称 497-2585-5
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 2000
集电极 - 发射极饱和电压 - 1.2 V
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO - 5 V
直流集电极/增益hfe最小值 20
直流电流增益hFE最大值 80
增益带宽产品fT 2 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO - 80 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO - 80 V
最低工作温度 - 65 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 - 4 A
集电极电流( DC)(最大值) 4 A
集电极 - 基极电压 80 V
集电极 - 发射极电压 80 V
发射极 - 基极电压 5 V
频率(最大) 2 MHz
功率耗散 40 W
工作温度范围 -65C to 150C
包装类型 SOT-32
元件数 1
直流电流增益(最小值) 20
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
频率 2 MHz
删除 Compliant
集电极电流(DC ) 4 A
直流电流增益 20
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :-80V
Transition Frequency ft :2MHz
功耗 :40W
DC Collector Current :4A
DC Current Gain hFE :20
Operating Temperature Min :-65°C
Weight (kg) 0.00068
Tariff No. 85412100
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-32
No. of Pins :3
MSL :-
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Collector Emitter Voltage Vces :80V
Current Ic Continuous a Max :4A
Gain Bandwidth ft Typ :2MHz
Hfe Min :7
工作温度范围 :-65°C to +150°C
端接类型 :Through Hole

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