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数量:725 |
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| 规格书 |
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| 文档 |
2N6039 View All Specifications Multiple Devices 23/Jul/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他相关文件 | 2N6039 View All Specifications |
| 标准包装 | 50 |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 4A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 3V @ 40mA, 4A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100µA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 750 @ 2A, 3V |
| 功率 - 最大 | 40W |
| 频率转换 | - |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-32-3 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3SOT-32 |
| 配置 | Single |
| 类型 | NPN |
| 最大集电极发射极电压 | 80 V |
| 峰值直流集电极电流 | 4 A |
| 最小直流电流增益 | 100@4A@3V|750@2A@3V|500@500mA@3V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 2@8mA@2A|3@40mA@4A V |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 4A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 3V @ 40mA, 4A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| 供应商设备封装 | SOT-32-3 |
| 封装 | Tube |
| 功率 - 最大 | 40W |
| 封装/外壳 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 750 @ 2A, 3V |
| 其他名称 | 497-2560-5 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 产品种类 | Transistors Darlington |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 100 |
| 集电极最大直流电流 | 4 A |
| 最大集电极截止电流 | 100 uA |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 40 W |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 80 V |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 4 A |
| 集电极 - 基极电压 | 80 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 80 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 2 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 包装类型 | SOT-32 |
| 引脚数 | 3 +Tab |
| 极性 | NPN |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 基射极饱和电压（最大值） | 4 V |
| 弧度硬化 | No |
| 直流电流增益 | 100 |
| 集电极电流（DC ） | 4 A |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :80V |
| 功耗 | :40W |
| DC Collector Current | :4A |
| DC Current Gain hFE | :750 |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| No. of Pins | :3 |
| Weight (kg) | 0.00068 |
| Tariff No. | 85412100 |
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