所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 产品种类 | Phototransistors |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 最大功率耗散 | 50 mW |
| 最大暗电流 | 1 uA |
| 封装/外壳 | Pill |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 15 V |
| 集电极 - 发射极击穿电压 | 15 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.1 V |
| 最高工作温度 | + 125 C |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 产品 | Photodarlingtons |
| 类型 | NPN Silicon Photodarlington |
| 波长 | 890 nm |
| 子类别 | Phototransistor |
| 封装 | Bulk |
| 交货期 | 56 Days |
| 电流 - 暗( Id)(最大) | 1µA |
| 电流 - 集电极( Ic)(最大) | 0.8mA |
| 定位 | Top View |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 系列 | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 15V |
| 可视角度 | 35° |
| 功率 - 最大 | 50mW |
| 标准包装 | 25 |
| 其他名称 | Q1664076 |
| 封装/外壳 | Pill |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
咨询QQ
热线电话