Toshiba Semiconductor and Storage
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 封装 | Tube |
| 电流 - Vr时反向漏电 | 90µA @ 650V |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电压 - 正向（Vf） （最大） | 1.7V @ 6A |
| 标准包装 | 50 |
| 电压 - （ Vr）（最大） | 650V |
| 热阻 | 2.8°C/W Jc |
| 电容@ Vr ，F | 35pF @ 650V, 1MHz |
| 供应商设备封装 | TO-220-2L |
| 工作温度 - 结 | 175°C (Max) |
| 电流 - 平均整流（Io ） | 6A (DC) |
| 封装/外壳 | TO-220-2 |
| 速度 | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| 其他名称 | TRS6E65CS1Q |
| 二极管类型 | Schottky |
| 最大二极管电容 | 35 pF |
| 正向电压下降 | 1.7 V |
| 产品 | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 175 C |
| 正向连续电流 | 6 A |
| 最大反向漏泄电流 | 90 uA |
| 峰值反向电压 | 650 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最大浪涌电流 | 30 A |
| 封装/外壳 | TO-220-2 |
| 配置 | Single |
| RoHS | RoHS Compliant |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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