所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8TSON EP |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 15 A |
| RDS -于 | 18.9@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型上升时间 | 9.1 ns |
| 典型下降时间 | 42 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 封装 | Reel |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 30 V |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| 系列 | TPCC8102 |
| 品牌 | Toshiba |
| Id - Continuous Drain Current | - 15 A |
| 身高 | 0.85 mm |
| 长度 | 3.1 mm |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 33.2 mOhms |
| 封装/外壳 | TSON-Advance-8 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 技术 | Si |
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