厂商型号:

TLP184(TPR,E)

芯天下内部编号:
369-TLP184-TPR-E
生产厂商:

Toshiba

microsemi
描述:
O
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
Package Width 4.55
安装 Surface Mount
Minimum Isolation Voltage 3750
输入类型 AC
PCB 4
最大功率耗散 200
最大集电极发射极饱和电压 300
输出设备 Transistor
欧盟RoHS指令 Compliant
最大输入电流 20
每个芯片的通道数 1
输出类型 DC
引脚数 4
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SO
标准包装名称 SOIC
最高工作温度 110
最大正向电压 1.4
Package Length 3.7
最大集电极发射极电压 80
Package Height 2.1
Maximum Current Transfer Ratio 400
封装 Tape and Reel
最大集电极电流 10
铅形状 Gull-wing
电流 - 输出/通道 1mA
电流传输比(最小值) 50% @ 5mA
安装类型 Surface Mount
电流传输比(最大) 400% @ 5mA
下的Vce饱和度(最大) 300mV
电压 - 输出 80V
通道数 1
标准包装 3,000
电流 - DC正向(If ) 20mA
电压 - 隔离 3750Vrms
封装/外壳 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 4 Leads
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 TLP184(TPRE)CT
隔离电压 3750 Vrms
最大下降时间 9 us
最大集电极发射极饱和电压 0.3 V
最大输入二极管电流 10 mA
封装/外壳 SOIC-6
产品种类 Transistor Output Optocouplers
正向电流 16 mA
最大上升时间 5 us
最高工作温度 + 110 C
最大正向二极管电压 1.4 V
RoHS RoHS Compliant
最大功率耗散 200 mW
最大集电极发射极电压 80 V
最大集电极电流 50 mA
最低工作温度 - 50 C
电流传输比 400 %
集电极电流( DC)(最大值) 0.01 A
集电极 - 发射极电压 80 V
集电极 - 发射极饱和电压 0.3 V
功率耗散 0.2 W
工作温度范围 -55C to 110C
包装类型 DIP SMD
元件数 1
工作温度分类 Industrial
正向电压 1.4 V
弧度硬化 No
集电极电流(DC ) 0.01 A

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