toshiba
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-220SIS |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 525 V |
| 最大连续漏极电流 | 4 A |
| RDS -于 | 1700@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型上升时间 | 18 ns |
| 典型下降时间 | 8 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Shrink Tubing - 4 ft sticks |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.4V @ 1mA |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 供应商设备封装 | TO-220SIS |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.7 Ohm @ 2A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 35W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 525V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 490pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 11nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| Id - Continuous Drain Current | 4 A |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 系列 | TK4A53D |
| 品牌 | Toshiba |
| Pd - Power Dissipation | 35 W |
| 身高 | 15 mm |
| 安装风格 | Through Hole |
| 长度 | 10 mm |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 525 V |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.7 Ohms |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
