toshiba
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-220SIS |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 最大连续漏极电流 | 4 A |
| RDS -于 | 2000@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型上升时间 | 15 ns |
| 典型下降时间 | 7 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Shrink Tubing - 4 ft sticks |
| 最大门源电压 | ±30 |
| Package Width | 4.5 |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 30000 |
| 最大漏源电压 | 500 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 2000@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-220SIS |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 10 |
| 引脚数 | 3 |
| Package Height | 15 |
| 最大连续漏极电流 | 4 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.4V @ 1mA |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 供应商设备封装 | TO-220SIS |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2 Ohm @ 2A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 30W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 380pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 9nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 系列 | TK4A50D |
| 品牌 | Toshiba |
| Id - Continuous Drain Current | 4 A |
| 身高 | 15 mm |
| 安装风格 | Through Hole |
| 长度 | 10 mm |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2 Ohms |
| Pd - Power Dissipation | 30 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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