Toshiba
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 80A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 500µA |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220-3 |
| 其他名称 | TK46E08N1S1X |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 8.4 mOhm @ 23A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 103W |
| 标准包装 | 50 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 80V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2500pF @ 40V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 37nC @ 10V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 80 V |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Qg - Gate Charge | 37 nC |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 系列 | TK46E08N1 |
| 品牌 | Toshiba |
| Id - Continuous Drain Current | 80 A |
| 身高 | 15.1 mm |
| 安装风格 | Through Hole |
| 长度 | 10.16 mm |
| 通道数 | 1 Channel |
| 技术 | Si |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 8.4 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Pd - Power Dissipation | 103 W |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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