toshiba
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3DPAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 45 A |
| RDS -于 | 9.7@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型上升时间 | 4.2 ns |
| 典型下降时间 | 9.4 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 45A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.3V @ 200µA |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商设备封装 | D-Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 9.7 mOhm @ 22.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 39W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1500pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 25nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 系列 | TK45P03M1 |
| 品牌 | Toshiba |
| Id - Continuous Drain Current | 45 A |
| 身高 | 2.3 mm |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 长度 | 6.5 mm |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 12 mOhms |
| Pd - Power Dissipation | 39 W |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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