Toshiba
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Super Junction |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 100A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3.7V @ 5mA |
| 供应商设备封装 | TO-3P(L) |
| 其他名称 | TK100L60WVQ |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 18 mOhm @ 50A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 797W |
| 标准包装 | 100 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 15000pF @ 30V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 360nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-3PL |
| 安装风格 | Through Hole |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流 | 100 A |
| RDS（ON） | 15 mOhms |
| 功率耗散 | 797 W |
| 商品名 | DTMOSIV |
| 封装/外壳 | TO-3P-3 |
| 栅极电荷Qg | 360 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 690 ns |
| 上升时间 | 130 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 125 ns |
| 工厂包装数量 | 100 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.7 V to 3.7 V |
| Qg - Gate Charge | 360 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| 品牌 | Toshiba |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 100 A |
| 长度 | 20 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 15 mOhms |
| 系列 | TK100L60 |
| 身高 | 26 mm |
| 典型导通延迟时间 | 230 ns |
| Pd - Power Dissipation | 797 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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