Toshiba
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 200 mA |
| RDS（ON） | 3.3 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | TSSOP-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 14.5 ns |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.1 V |
| 品牌 | Toshiba |
| 通道数 | 2 Channel |
| 晶体管类型 | 2 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 200 mA |
| 长度 | 2 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.3 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
| 系列 | SSM6N7002 |
| 身高 | 0.9 mm |
| 典型导通延迟时间 | 3.3 ns |
| Pd - Power Dissipation | 300 mW |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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