Toshiba
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 250mA |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 1mA |
| 供应商设备封装 | ES6 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 12pF @ 10V |
| 封装/外壳 | SOT-563, SOT-666 |
| 其他名称 | SSM6N37FELMCT |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 10 V |
| 连续漏极电流 | 250 mA |
| RDS（ON） | 5.6 Ohms |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 封装/外壳 | SOT-563 |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| 晶体管类型 | 2 N-Channel |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 系列 | SSM6N37 |
| 品牌 | Toshiba |
| Id - Continuous Drain Current | 250 mA |
| 身高 | 0.55 mm |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| 长度 | 1.6 mm |
| 通道数 | 2 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5.6 Ohms |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| 配置 | Dual |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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