toshiba
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3VESM |
| 配置 | Single |
| 类型 | NPN |
| 最大集电极发射极电压 | 50 V |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 最小直流电流增益 | 30@10mA@5V |
| 工作温度 | N/A to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 供应商封装形式 | VESM |
| 标准包装名称 | VESM |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 包装高度 | 0.5 |
| 典型输入电阻 | 4.7 |
| 最大功率耗散 | 150 |
| 引脚数 | 3 |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 100 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.3@0.25mA@5mA |
| 包装宽度 | 0.8 |
| PCB | 3 |
| 包装长度 | 1.2 |
| 最大集电极发射极电压 | 50 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | NPN - Pre-Biased |
| 电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆） | 4.7k |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | VESM |
| 电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆） | 4.7k |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 30 @ 10mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 产品种类 | Transistors Switching - Resistor Biased |
| 晶体管极性 | NPN |
| 典型输入电阻 | 4.7 KOhms |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 30 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 连续集电极电流 | 100 mA |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 系列 | RN1101 |
| 品牌 | Toshiba |
| 直流电流增益hFE最大值 | 30 |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
