Toshiba
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±8 |
| 欧盟RoHS指令 | Supplier Unconfirmed |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | P |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 38@4V |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | UFM |
| 最大功率耗散 | 800 |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 |
| 引脚数 | 3 |
| FET特点 | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 1mA |
| 供应商设备封装 | UFM |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 38 mOhm @ 3A, 4V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1484pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 22.3nC @ 4V |
| 封装/外壳 | 3-SMD, Flat Leads |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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