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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

GT30J322 

产品描述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N)IS

内部编号

369-GT30J322

生产厂商

toshiba

TOSHIBA

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税
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GT30J322产品详细规格

规格书 GT30J322 datasheet 规格书
GT30J322 datasheet 规格书
XPackage 3TO-3P(N)IS
包装 3TO-3P(N)IS
配置 Single
最大集电极发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 30 A
最大栅极发射极电压 ±20 V
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube

GT30J322系列产品

型号厂家产品描述
GT30J322(Q) toshiba Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N)IS
GT30J101 toshiba Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
GT30J121 toshiba Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
GT30J121(Q) toshiba Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
GT30J301 toshiba Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
GT30J311 toshiba Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3P(SM)
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