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厂商型号

GT10J312(Q) 

产品描述

IGBT Transistors IGBT, 600V, 10A

内部编号

369-GT10J312-Q

生产厂商

Toshiba

toshiba

#1

数量:0
最小起订量:1
美国费城
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GT10J312(Q)产品详细规格

规格书 GT10J312(Q) datasheet 规格书
GT10J312(Q) datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
- 集电极电流(Ic)(最大) 10A
功率 - 最大 60W
Input 型 Standard
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 TO-220SM(10.3x13.6)
包装材料 Tube
配置 Single
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
最大栅极发射极电压 20 V
最高工作温度 + 150 C
封装/外壳 TO-220SM-3
连续集电极电流Ic最大 10 A
安装风格 Through Hole
工厂包装数量 50
寿命 Obsolete
电流 - 集电极( Ic)(最大) 10A
安装类型 Surface Mount
标准包装 50
时间Td(开/关) @ 25°C 400ns/400ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.7V @ 15V, 10A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 TO-220SM
反向恢复时间(trr ) 200ns
封装 Tube
功率 - 最大 60W
输入类型 Standard
测试条件 300V, 10A, 100 Ohm
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 20A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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