toshiba
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| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-3P(N)IS |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 900 V |
| 最大连续漏极电流 | 8.5 A |
| RDS -于 | 1250@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型上升时间 | 25 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 8.5A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 1mA |
| 封装/外壳 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 供应商设备封装 | TO-3P(N)IS |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.25 Ohm @ 4A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 90W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 900V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2150pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 70nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流 | 8.5 A |
| RDS（ON） | 1.25 Ohms |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 90 W |
| 上升时间 | 25 ns |
| 漏源击穿电压 | 900 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 25 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 900 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| 品牌 | Toshiba |
| 通道数 | 1 Channel |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 8.5 A |
| 长度 | 15.5 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.25 Ohms |
| 系列 | 2SK3017 |
| 身高 | 20 mm |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 90 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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