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规格书 |
2SC6026![]() |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 100mA |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Surface Mount |
频率 - 转换 | 60MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 250mV @ 10mA, 100mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 100nA (ICBO) |
标准包装 | 10,000 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
供应商设备封装 | fSM |
封装 | Tape & Reel (TR) |
功率 - 最大 | 50mW |
封装/外壳 | SC-70, SOT-323 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 120 @ 2mA, 6V |
其他名称 | 2SC6026CT-Y(TPL3)CT |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 10000 |
增益带宽产品fT | 60 MHz |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 | NPN |
发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
最大功率耗散 | 50 mW |
直流集电极/增益hfe最小值 | 120 |
直流电流增益hFE最大值 | 400 |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
安装风格 | SMD/SMT |
集电极 - 基极电压VCBO | 60 V |
配置 | Single |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 100 mA |
系列 | 2SC6026CT |
品牌 | Toshiba |
身高 | 0.48 mm |
长度 | 0.6 mm |
Pd - Power Dissipation | 50 mW |
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